Stamprî elettrònica

Stamprî elettrònica

 

Trattamento de superfiçie do plasma de preçixon pe l’elettrònica stampâ e i dispoxitivi flescibili

O trattamento de superfiçie do plasma avansou o permette un megioamento de l’adexon segua in scî substrati senscibili deuviæ inte:

  • çircuiti de stampa flescibili (FPC)- O poliimide Attivo (PI) e i film PET pe-o ligamme de tinta conduttô
  • OLED/LCD Displays - Trito de pre{{1}^laminaçion de ultra{{2}thy}t de veddro (UTFG) e di revestimenti de l'ITO
  • Tin{-Tatte e battëie - fonçionalizzaçion de Superfiçie de pellicole d’elettrodi Li{{2}çion

 

Desfia

Soçietæ de placco

Avvantaggi tecnico

I polimeri d’energia à bassa superfiçie

L’oscigeno/Argon/plasma o l’introduxe i gruppi d’idròscilo ({0}OH) e carboscilo ({1}COOH)

A reduçion de l’angolo de contatto da 80 graddi →30 graddi in<1s

Discargole de discoteca di materiali

Plasma DBD Pulso a-o<50°C prevents thermal damage

Modificaçion in sce scâ de nanon (<10nm depth) only

O fallimento de l'adexon in sce UTFG

O plasma DCSBD o l’elimina i idrocarbui, tanto ch’o l’azzonze de fonçionalitæ d’oscigeno

100 reduçion da rexistivitæ inti circuiti rGO

 

 
 
Materiale carcolo di Protocòlli particolæ
  • Filmi de poliimide (Kapton®)

Proçesso: N₂/H₂ plasma à 20kHz, 7kV

Resultato: 60% d’adexon de tinta ciù erta contra o trattamento corona

 

  • Ultra-Taccarella (UTFG)

Proçesso: Diffuxon di barrei copiari diffuxi (DCSBD)

Resultato: 40% d'aumento da conduttivitæ do PEDOT:PSS

 

  • Li.

Proçesso: plasma atmosferico co-o mescciâlo

Resultato: 15% de fòrsa de scòrsa ciù erta inte çellole laminæ

 

  • Inzegnê{{0 ].

O nòstro scistema o l’integra o monitoraggio de l’impedensa e o contròllo de l’impedensa d’adattixe e adattiva pe prevegnî l’arco in sce:

Temperatura{{0}çionisti bio{1}polimeri (prexempio, scaffold PLGA)

Micro- passeggio de l'ITO

Separatoî poroxi de battëie

 

  • Contattâ a nòstra squaddra d'inzegneria Superfiçie Pe:

▶︎ rappòrto de test de compatibilitæ materiale (incluxon di dæti WCA/SEM/XPS)

▶︎ validaçion do proçesso co-i seu substrati (PI/COP/PEN)

▶︎ In sce l’ottimizzaçion di parametri do scito pe prevegnî o danno a-a descharge